Método para definir y fabricar motivos superficiales nanométricos químicos reactivos mediante litografía blanda en fase gaseosa, motivos y dispositivos así obtenidos y sus aplicaciones


Tipo: 
Nacional
Num. Solicitud: 
ES20080000221
Data Solicitut: 
Mar, 2008-01-29 10:00
Num. Publicación: 
ES2324142
Fecha Solicitud: 
Jueves, July 30, 2009 - 10:00
Inventor: 
R. de la Rica, C. Fernández Sánchez, A. Baldi, C. Domínguez, C. Jiménez
Solicitante: 
Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
Num. Prioridad: 
ES20080000221
Priority Date: 
Martes, January 29, 2008 - 10:00
Estado: 
Concedida
Resumen: 

Método para definir y fabricar motivos superficiales nano¬a) métricos químico reactivos mediante litografía blanda en fase gaseosa, motivos y dispositivos así obtenidos y sus aplicaciones. b) El método propuesto en esta patente de invención permite definir y fabricar sobre obleas de silicio monocristalino u otro material semiconductor o superficie sólida, un moe) tivo químico reactivo previamente proyectado o una serie de ellos, preferentemente una molécula de silano como el MPTMS y APTMS con un grupo tiol y amino funcional expuesto, respectivamente. Estos soportes funcionalizados d) a nivel nanométrico pueden ser utilizados para la fabricación de dispositivos microelectrónicos o biotecnológicos como, por ejemplo, un microarray o microchip de DNA o PNA.