Emisores de luz de estado sólido
Los nano-cristales de Silicio (Quantum Dots) obtenidos de materiales ricos en Silicio, tanto los embebidos en una matriz de SiO2 (SRO) o de Si3N4 (SRN), han generado un gran interés debido a sus potenciales aplicaciones.
El GTQ ha desarrollado una tecnología para obtener emisores y detectores de luz basados en Silicio, partiendo de SRO obtenidos por PECVD, LPCVD o técnicas de implantación de iones.
Los principales logros de esta línea son LEDs polarizados en alterno/continuo y detectores con un rango dinámico hasta el UV.
LEDS de silicio y detectores UV
- Dispositivos basados en Quantum Dots de Silicio:
- LED de implantación iónica que emiten a 5 V. SRO/SRN con una Eficiencia de 0,1% .
- LPCVD-LED para su uso con corriente alterna/continua.
- Detectores-UV: 200-1000 nm.
Emisor MOS
Espectro obtenido para diferentes materiales
Silicio nanostructurado embebido en una matriz de óxido de silicio
Capacidad electroluminiscente compuesta por diferentes materiales
Transceiver: emisor de luz de silicio compatible con CMOS
+ guía de onda de nitruro de silicio + fotodetector de silicio
