Emisores de luz de estado sólido


Los nano-cristales de Silicio (Quantum Dots) obtenidos de materiales ricos en Silicio, tanto los embebidos en una matriz de SiO2 (SRO) o de Si3N4 (SRN), han generado un gran interés debido a sus potenciales aplicaciones.

El GTQ ha desarrollado una tecnología para obtener emisores y detectores de luz basados en Silicio, partiendo de SRO obtenidos por PECVD, LPCVD o técnicas de implantación de iones.

Los principales logros de esta línea son LEDs polarizados en alterno/continuo y detectores con un rango dinámico hasta el UV.

LEDS de silicio y detectores UV

  • Dispositivos basados en Quantum Dots de Silicio:
  • LED de implantación iónica que emiten a 5 V. SRO/SRN con una Eficiencia de 0,1% .
  • LPCVD-LED para su uso con corriente alterna/continua.
  • Detectores-UV: 200-1000 nm.

Emisor MOS

Espectro obtenido para diferentes materiales

Silicio nanostructurado embebido en una matriz de óxido de silicio

 

Capacidad electroluminiscente compuesta por diferentes materiales

Transceiver: emisor de luz de silicio compatible con CMOS
+ guía de onda de nitruro de silicio + fotodetector de silicio